Наличие оксидной пленки играет огромную роль, и помогает разъяснить появление эффекта угнетения кристаллографического травления. Оно приписывается растворению, которое происходит вследствие их близости к порам и повреждениям оксидной пленки. При непрерывном росте пленки и ее растворении, эти точки доступа претерпевают неизменные конфигурации, потому воздействие на атомы приобретает более либо наименее случайный нрав. Эффективность угнетения травления находится в зависимости от толщины, пористости и электронных параметров пленки, а так же от состава металла и размера зерна.
Угнетение травления при гальванической обработке
17 августа, 2014 Pokraskin
Источник: vseokraskah.net
Комментирование и размещение ссылок запрещено.