Угнетение травления при гальванической обработке

Наличие оксидной пленки играет огромную роль, и помогает разъяснить появление эффекта угнетения кристаллографического травления.  Оно приписывается растворению, которое происходит вследствие их близости к порам и повреждениям оксидной пленки. При непрерывном росте пленки и ее растворении, эти точки доступа претерпевают неизменные конфигурации, потому воздействие на атомы приобретает более либо наименее случайный нрав.  Эффективность угнетения травления находится в зависимости от толщины, пористости и электронных параметров пленки, а так же от состава металла и размера зерна.

Источник: vseokraskah.net

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.