Растровая электрическая микроскопия (SEM)

Подготовка эталона для SEM не вызывает затруднений, эталон обрезается по определенным размерам (поперечник 10-30 мм), зависимо от устройства крепления эталона. На непроводящие либо плохо проводящие эталоны наносится слой золота, осажденный из паровой фазы. Способ растровой электрической микроскопии позволяет обеспечить огромную глубину фокуса и высочайший топологический контраст при увеличении в спектре 10x — 50,000x. Растровая электрическая микроскопия  применяется для анализа морфологии поверхности, в особенности поверхности трещинок, механических повреждений, коррозии. Растровая электрическая микроскопия   позволяет показать структуру и рассредотачивание фаз в трехмерном измерении, если дюралевую матрицу подвергнуть травлению. Данный способ подходит только для больших фаз, к примеру в литых сплавах и в материалах с усиленными волокнами, более маленькие элементы разрушаются при травлении. Растровая электрическая микроскопия  может проводиться с рентгеновским спектрографом, который позволяет идентифицировать структурные составляющие более 0,1 mм (продукты коррозии. Если применяется отраженный электрический сенсор, может быть проведение анализа плоских микросечений.

Источник: vseokraskah.net

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.