Лако-красочные материалы — производство

В истории развития научного движения, направленного на исследование структуры анодных пленок можно повстречать разные описания бесформенных, микрокристаллических структур, g-Al2O3,g’-Al2O3 либо ?-Al2O3. Материал считается бесформенным в этом случае, если он не может быть различен средством рентгеновской спектроскопии, т.е. в случае невозможности получения его пятнистой дифракционной структуры. Термин микрокристаллическая структура относится к материалам с размером кристаллов наименее 10 нм.

g-Al2O3 является переходной формой окиси алюминия, которая появляется в процессе тепловой трансформации бемита в корунд. Он обладает тетрагонально продеформированной структурой типа шпинель и содержит свободные катионы и маленький процент гидроксильных ионов. ?-Al2O3 так же является переходной окисью алюминия, но он появляется в итоге разложения байерита. Согласно Верфью, ионы O2- в g-Al2O3 организованы в виде гранецентрированной кубической (кристаллической) решётки, а наименьшие ионы Al3+ распределяются статистически в междоузлиях меж ионами кислорода, при всем этом порядка 70% ионов алюминия имеют число координирования равное 6, а другие – 4.

g-Al2O3 был найден способом дифракционного рентгеновского анализа в пленках, образованных в щавелевой кислоте,  концентрированной серной кислоте  и в борной кислоте. В недавнешнее время ученые  Оно и его коллеги  провели исследование характеристик кристаллической решетки  на основании  структур электрической дифракции в пленках, образованных в хромовой, фосфорной и серной кислотах, подвергнутых кристаллизации при помощи электрического луча. В итоге этого они сделали вывод, что материл этой пленки сравним с ?-Al2O3 .

Харингтон и Нельсон обусловили, что покрытия, получаемые в серной, фосфорной и щавелевой кислотах, тринатрийфосфате, буре и аммонии являются бесформенными, а ученые Эдвардс и Келлер установили, что структура дифракции электронов в пленках высочайшего напряжения, образованных при помощи борной кислоты имеют кристаллическую структуру типа g-Al2O3 . Тайлор, Такер и Эдвардс, использовавшие дифракционный анализ способом рентгеноскопии анодных покрытий, получаемых на фольги 99.8% алюминия, не нашли никакого различия меж формами g-Al2O3 и g’-Al2O3 . Этими же создателями так же было проведено исследование огромного количества разных покрытий, анализ осуществлялся при помощи разных способов. В  итоге они сделали вывод, что все эти покрытия содержат существенное количество бесформенного оксида, в неких случаях наблюдалось так же определенное процентное содержание g-Al2O3 . В общем заметим, что высочайший потенциал больше содействовал формированию кристаллической решетки, которая имела тенденцию к формированию даже в разбавленных смесях, т.е. при наименее 0.1% щавелевой кислоты, 0.1-0.5% хромовой кислоты либо 0.05% серной кислоты. При использовании переменного тока либо высочайшей температуры удавалось достигнуть большего количества кристаллического оксида. Наибольшее количество можно было получить при помощи разбавленной лимоновой кислоты при 670 В и 95?С. В расплавленном электролите происходило образование g-Al2O3 .

Трилат и  Церциан, которые производили исследования способом электрической дифракции покрытий 1 и 20 микрон, приобретенных в серной кислоте на алюминии 99.99%, установили, что на последнем верхнем слое происходит образование кристаллической структуры, состоящей из консистенции моногидрата и или g-оксида либо неклассифицированной переходной формы на последнем верхнем слое. Более низкие слои обоих покрытий являлись бесформенными.  Нужно держать в голове о том, что в присутствие воды бесформенный оксидный слой медлительно преобразуется в моногидрат, как и в процессе гидротермического уплотнения, что является собственного рода доказательством результатов, приобретенных Триллатом и Церцианом.

Франклин  установил, что в пленках, образованных в смесях кислотного бурэ может находиться, по последней мере, 3 типа оксидов: (1) гидратированный слой на наружной поверхности пленки (2) некорректные участки кристаллического g-Al2O3 , снутри покрытия и (3) бесформенный оксид, составляющий основную часть пленки.

Тут нужно увидеть, что пробой диэлектрика анодной пленки и другие явления приводят к локальному образованию кристаллического материала. Некие из проводивших исследования ученых говорят, что вправду следили схожее воздействие. Пробой более тщательно дискуссируется дальше в этой же главе.

Харингтону и Нельсону на основании структур электрической дифракции, приобретенных на базе новых покрытий  удалось установить, что размер частички составляет порядка 1.2 нм. Филипс в собственной работе цитировал Брума и Кука, которые установили намного наименьшее значение, 0.5 – 1.0 нм, при этом это значение увеличивалось при уплотнении в кипящей воде до 10-25 нм, в итоге чего выходила бемитная структура. Филипс так же предоставил отчет о существовании других структур дифракции, которые могут быть приписаны хоть какой известной форме, и были обнаружены Бакером и Пирсоном, которые установили, что радиус микрокристаллических частиц составлял 2.4 нм, а Алви настаивал на размерах 9.0, 9.5 и 4.0 для соответственно щавелевой, фосфорной и хромовой кислот. Позже, Томпсон и его коллеги в Манчестере обусловили, что текстура стены ячейки подразумевает наличие микрокристаллитов размером 2.0 — 2.5 нм, но может быть, что в этом случае идет речь об исключении, являющимся результатом использованного в процессе исследования способа утончения ионного луча.