Современная теория двойного электрического слоя использует теорию Гуи — Чепмена для описания диффузной части этого слоя. В первоначальном варианте теория Гуи — Чепмена не учитывала наличия слоя Гельмгольца, и поэтому ее допущения не позволяли правильно описать электрические явления, на которые существенное влияние оказывает плотная, непосредственно прилегающая к межфазной поверхности часть слоя. Пренебрежение размерами ионов приводит к тому, что не принимается во внимание толщина адсорбционного слоя, и Это, в свою очередь, вызывает большие погрешности при расчете параметров двойного электрического слоя. Кроме того, теория Гуи—Чепмена рассматривая только влияние концент
рации и заряда ионов электролитов на изменение потенциала, не объясняет различного действия ионов разной природы, связанного со специфической адсорбцией их на межфазной поверх — ности.
(II.13,5)- |
(11.136) |
Fztp + Ф RT |
) |
(11.137) |
Штерн предложил рассматривать слой противоионов состоящим из двух частей: внутренней (плотный слой Гельмголь — ца) и внешней (диффузный слой). Таким образом, теорию Гуи — Чепмена можно использовать для описания только строения внешней части слоя, где можно пренебречь адсорбционными силами и размерами ионов. Внутреннюю (плотную) часть Штерн представил как адсорбционный моноионный слой, в котором противоионы примыкают к поверхности благодаря электростатическим силам и специфическому взаимодействию (см. рис. 11.16). Введенный Штерном потенциал ф6 часто называют штерновским. В плотной части двойного электрического слоя потенциал уменьшается линейно от ф0 до ф6 в соответствии с соотношением (11.133). Принимая текущими переменными ф и х вместо фб и б в уравнении (11.133), получим:
Ф=ФО — ?г-*/(еое)
Штерн попытался учесть влияние специфической адсорбции ионов на электрический потенциал, обусловленный действием ковалентных сил дополнительно к электростатическим силам. Так как радиус действия сил такой адсорбции соизмерим с размером ионов, это дает основание учитывать ковалентные силы только для ионов, входящих в плотный слой Гельмголь — ца. Как видно из рис. II.16, плотность поверхностного заряда противоионов можно разделить на две части: плотность заряда Q г. обусловленного моноионным слоем, представляющим собой слой Гельмгольца, и плотность заряда q6 диффузного слоя Гуи. Общая поверхностная плотность заряда двойного электрического слоя равна сумме поверхностных плотностей зарядов плотного и диффузного слоев с обратным знаком:
— qs = qr+q(, Или + = 0
По Штерну, заряд слоя Гельмгольца складывается из заряда ионов, адсорбированых как за счет электростатического адсорбционного потенциала Fzy, так и за счет потенциала специфической адсорбции Ф. Было предположено, что поверхность имеет определенное число адсорбционных центров, каждый из которых взаимодействует с одним противоионом. Константа такой квазихимической реакции равна фактору Больцмана, в котором общий адсорбционный потенциал составляет сумму адсорбционных потенциалов электростатического и специфического взаимодействия:
Такой подход позволил Штерну получить уравнение для плотности поверхностного заряда в слое Гельмгольца
_?со
1+ (1/*о)ехр[ — Т(Лф + Ф)/(/гГ)] (11.138)
Где — предельно возможная плотность поверхностного заряда для данных противоионов в слое Гельмгольца; ха — мольная доля противоионов в растворе.
Уравнения (11.137) и (11.138) учитывают специфическую адсорбцию только противоионов. При невысоких концентрациях электролита можно пренебречь единицей в знаменателе уравнения (11.138). Таким образом, теория Штерна (11.138) и теория Гуи — Чепмена (11.132) позволяют рассчитать соответственно заряд в плотном и диффузном слоях. Рассчитанные с учетом этих уравнений значения емкости двойного электрического слоя для различных концентраций электролитов удовлетворительно совпадают с результатами, полученными по данным электрокапиллярных измерений.
Из уравнения (11.138) следует, что в области малых концентраций электролита плотность заряда qr пропорциональна концентрации х0 в первой степени, а согласно теории Гуи — Чепмена q6 пропорциональна Ус. Таким образом, в области малых концентраций Qr уменьшается быстрее, чем Qb, т. е. в двойном электрическом слое преобладает диффузная часть. Для бесконечно разбавленного раствора теория Гуи—Чепмена при — ложима ко всему двойному электрическому слою, так как q^qr. При больших концентрациях электролитов Qh значительно уменьшается; двойной слой становится похожим на слой Гельмгольца.
Поскольку теория Штерна учитывает наличие плотного адсорбционного слоя ионов, это позволяет установить влияние их гидратации на q?, а учет специфической адсорбции ионов дает возможность объяснить резкое уменьшение потенциала поверхности в плотной части слоя при наличии в растворе про — тивоиона, обладающего большим адсорбционным потенциалом. Лучше адсорбируются и ближе подходят к поверхности менее гидратированные ионы, которые по этой причине значительнее компенсируют поверхностный потенциал, а соответственно их будет меньше в диффузном слое.
Специфическая адсорбция зависит от сродства адсорбируемых ионов к поверхности, их способности образовывать не — диссоциирующие поверхностные соединения. Например, на кристаллах хорошо адсорбируются из раствора ионы, образующие с ионами кристалла нерастворимые соединения. Большими адсорбционными потенциалами обладают многозарядные ионы (Al3+, Th4+ и др.), органические ионы. Сильно адсорбирующиеся ионы в плотном слое иногда способны не только полностью
Рис. 11.17. Изменение потенциала верхности при ее перезарядке
Ском пенсировать поверхностный потенциал, но и создать избыточный заряд со знаком заряда противоионов. Это явление называется перезарядкой. Перезарядка приводит к смене противоионов в диффузном слое на ионы с зарядом другого знака. Из Рис. 11.17 видно, что при перезарядке поверхностный потенциал ф0 и потенциал диффузного слоя ф« имеют разные знаки.
Общую поверхностную плотность заряда Q„ можно представить в виде разности между величинами адсорбции потенци — алопределяющих ионов разного знака
Qs = F(T+z+ — Г.-2-) (11.139)
Если потенциалопределяющими ионами являются ионы Н+ или ОН~, то qs — F(rHl—Гон~); величины адсорбции можно экспериментально определить методом потенциометрического титрования поверхности, например частиц суспензии.