•Стремление поверхностной энергии к минимуму вызывает искривление поверхности жидкости. Поэтому можно предположить наличие связи между поверхностной энергией и формой
Тел, т. е. с помощью химической термодинамики установить, границу между твердым и жидким агрегатным состоянием. Эта связь формулируется как принцип Гиббса •— Кюри: термодинамически устойчивой является та форма тела, при которой система обладает наименьшей поверхностной энергией Гиббса. Математически это означает:
2 OiSi=мнн (V=const) (11.176)
І
Где о, и Si — соответственно удельная поверхностная энергия н площадь, отдельных частей поверхности тела. Суммирование проводится по всей поверхности однофазного тела.
Жидкости изотропны, поэтому все свойства, в том числе и поверхностное натяжение, в любой точке поверхности жидкости имеют одно и то же значение. В связи с этим для жидкостей, соотношение (11.176) переходит в следующее:
Јs.- = MHH (V-const) (II.177);
І
Из него следует, что термодинамически устойчивой формой жидкого тела является та, которая имеет наименьшую поверхность при данном объеме. Очевидно, что такому условию удовлетворяет сферическая форма.
Кристаллы анизотропны, поэтому каждая их грань имеет характерную для нее поверхностную энергию. [Для кристалла индекс і в соотношении (11.176) обозначает разные его грани.] Минимальная позерхностная энергия для кристаллов определяется законом Вульфа, который можно получить, используя уравнение Лапласа. Для отдельной части кристалла,, например пирамиды А (рис. 11.23), имеем
Si=W;2; К; = 7з«;3 и dsi = 2klidli, dVi = klMU
Подставляя эти значения в уравнение Лапласа (11.171),. получим:
Ар =2 о, Щ (11.178)’
Где о,- — удельная поверхностная энергия грани кристалла, находящейся на расстоянии li от центра кристалла.
Так как у равновесного кристалла избыточное давление под всеми — гранями должно быть одинаково, то из уравнения (11.178) следует математическая запись закона Вульфа:
А/1 = Ог/І2= ■ ■. = №=const, или <їі : а2… =Z| :/2 … (11.179)
Постоянную W называют константой Вульфа. Очевидно, что она постоянна для кристалла определенного размера и с его увеличением уменьшается (о, = const, а увеличивается). В соответствии с соотношением (11.179) закон Вульфа гласит: условием минимума поверхностной энергии равновесного кристал-
10Г>
Рис. II.23. Иллюстрация закона Вульфа
Її и 12— расстояния от центра кристалла до его іраней
Ла является пропорциональность удельных поверхностных энергий его граней их расстояниям от центра кристалла. Чем больше удельная поверхностная энергия грани, тем дальше она находится от центра кристалла и тем меньшую поверхность она имеет (см. рис. 11.23). Таким образом, равновесная форма тел является результатом стремления поверхностной энергии к минимуму и непосредственно связана с их природой (разная форма кристаллов) и агрегатным состоянием. Отсюда следует также, что дефекты структуры реального кристалла соответствуют областям избыточной (поверхностной) энергии Гиббса.