Современные методы анализа химизма поверхностей

Эти методы используют энергетический зонд дія возбуждения какого-либо физи­ческого процесса на поверхности, который возникает в результате испускания об­личающих большой энергией групп. В табл. 4.4 представлены перечень некоторых из указанных методов, типы образцов, использованных дія проведения этих экс­периментов, а также принятые ограничения и потенциальные возможности исполь­зования этих методов.

В табл. 4.4 приведен пе]К‘чень методов, которые были использованы нс только для изучения химизма поверхности, но и дія получения научного представления об адгезии. Рассматриваемые методы наиболее часто используются специалиста­ми. работающими н области теории адгезии. Рассматривая табл. 4.4. можно понять, почему некоторые из этих методов применимы дчя «жесткого вакуума», например, вакуума с остаточным давлением менее GG7 х 101 Па. Так как исследуемые группы обладают большой энергии, их средняя дійна свободного пробста офаинчена до тех пор, пока на их пути не появляются другие материалы. Фактически аналитический метод исследования поверхности, рассматриваемый в данной работе, зависит от наименьшей средней длины свободного пробега электронов в твердом теле.

Из приведенных в табл. 4.4 XPS представляет собой наиболее широко исполь­зуемый н практических целях современный метод поверхностного анализа, осо­бенно в области науки об адгезии. Основой данного метода является эйнштейнов­ский фотоэлектрический эффект. Рентгеновское излучение проникает в материал на большую глубину, которая достигает нескольких микрон. В случае большинства атомов поглощение рентгеновского излучения, испускаемого алюминием или маг­нием (материалами, используемыми в качестве анода в рентгеновских установках), достаточно для их ионизации. Однако свободные электроны имеют ограниченную величину средней длины свободного пробега, составляющую около 5 нм, и они по­вторно поглощаются материалом. к|юмс тех участков, которые находятся вблизи его поверхности. Следовательно, единственными электронами, которые не могут принимать участия при исследовании поверхности, являются электроны, находя­щиеся на расстоянии нескольких нм под реальной поверхностью, что определяет чувствительность данного метода исследований.

Электроны, испускаемые атомом, обладают характеристической энергией, кото­рая может быть исследована с помощью электронного спектрометра. Также мож­но подсчитать количество электронов. Зная систему переводных коэффициентов, можно определить концентрацию любого элемента на поверхности за исключено-

Таблица 4.4. Современные методы анализа поверхностей (потенциальные возможности и ограничения)

Наименование

метода

Потенциальные возможности

Ограничения

Рентгеновская <(ютоэлсктронная спектроскопия (XPS) или электронная спектроскопия для химического анализа (ESG71)

Количественный элементный анализ. Химическая информация в результате линейного анализа формы. Информация о профиле распределения по глубине образна в результате измерения углового распределения. Метод может быть использован для оценки изоляторов и проводников. Широко используется для анализа полимеров. Позволяет получать некоторую пространственную информацию

Химическая нш|>ормания ограничена. Информация о профиле распределения по глубине образца ограничена. Образец может разрушаться при слишком высокой интенсивности рентгеновского излучения

Масс спектро­скопия вторич­ных ионов (SIMS)

І Іолуко. нічествеїшьій элементный анализ. Превосходный метод для оценки профиля распределения элементов по глубине образца. Может быть использован только применительно к проводникам или неорганическим изоляторам

1 Ісзначтельная химическая информация. Образец претерпевает серьезные разрушения

Статическая масс-снектро* скопия вторич­ных ионов (SSIMS)

Неколичествсниый метод исследования полимеров. Чрезвычайно большая хими­ческая информация. Незначительное разрушение образца. Превосходный метод исследования в сочетании с методом XPS

1 Іевозможпость получения количественных результатов. Спектр данных предоставляет большую информацию, однако сс трудно анализировать неспециалистам

Наименование

метода

Потенциальные возможности

Ограничения

Ожс-электрон­ная спектроско­пия (Л ES)

Количественный метод элементного анализа для полупроводников и проводящих материалов Отличный метод ожс-анализа но глубине образна при совместном использовании ионного травления. Превосходное пространственное разрешение может быть использовано для пространственного отображения

Ограниченное использование для неиэоляционных материалов. Незначительная химическая информация

Инфракрасная спектроскопия, основанная на преобразованиях Фурье

Подробная химическая информация. Могут быть использованы реальные образны Метол, не требующий применения вакуумного оборудования

Образцы должны быть абсолютно плоскими н иметь возможность входить в непосредственный контакт с определенным кристаллом. Точность результатов исследования составляет несколько микрон

Окончание таб. і. 4.4

Мнфрак|к«»пая

Подробная химическая информация

1 іеобходимо использование

спектроскопия

Точность анализа порядка 10-100 нм.

специально приготовленных

н поглощающих

Метод, не требующий применения

образцов, например.

или отраженных

вакуумною оборудования

нанесенных покрытий на

лунах

отражающую поверхность

ем водорола її гелия. Используя электронный спектрометр высокой разрешающей способности, можно также изучать тонкую структуру, связанную с каждым мак­симумом излучения. Тонкую структуру можно оценить по отношению к влиянию ближайших соседей. Это особенно справедливо ятя максимума XPS, связанного с углеродом. Следовательно, если углерод находится в состоянии, связанном как с углеродом, так и с кислородом, может быть виден небольшой ник но отношению к более высокой энергетической стороне основного углеродного пика. Если углерод также связан с другими обладающими более высокой электроотрнцатсльностью атомами, например, со фтором, очевидно появление пиков при еще более высоких значениях энергии. Это дает основание для получения ограниченной химической информации, которую позволяет получить метод XPS. Некоторые эксперименты, выполненные с помощью метода XPS. рассматриваются в разделе гл. 7. посвящен­ном обработке поверхности пластиков.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.