Для того чтоб достигнуть от поверхности зеркальной отражательной возможности, размер изъянов поверхности должен быть меньше длины световой волны. Для исследования морфологии алюминия, подвергнутого гальванической обработке использовалась атомная микроскопия с разрешением на атомном уровне. Для разных критерий гальванической обработки наблюдались два совсем разных типа морфологии поверхности волн и холмов, а при промежных критерий наблюдались переходные структуры.
При увеличении напряжения обработки наблюдались повышение волнового периода поверхности и амплитуды. До гальванической обработки спектр измерений высоты поверхности составлял более 50 нм. В итоге гальванической обработки диапазон значений уменьшался до наименее, чем 5 нм. Схожий итог наглядно показывает, что правильное осознание хим и химических критерий, которые определяют шероховатость поверхности в процессе обработки, обеспечивает наилучший контроль и поболее высшую производительность для поверхностей, являющихся плоскими на субмикрометрическом и нанометрическом уровне. Тут можно упомянуть так же и о производстве дисков памяти для компов и систем обработки данных, а так же производстве точечных матриц путем нанесения металла на поры анодированного алюминия, где гальваническая обработка определяет плоскостность матрицы, имеющей два измерения, расстояние меж порами и их однородность.
Схематическая иллюстрация природы одно и двухплоскостной морфологии поверхности волн и холмов для алюминия, подвергнутого гальванической обработке. Высота (h) находится в спектре от 0 до 5 нм, а пиковое расстояние находится в спектре от 50 до 150 нм, зависимо от критерий обработки 23.